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RETOURProjets - 2011
Institut d'optoélectronique et plateforme d'innovation Lafayette - Georgia Tech
Metz (57) / 2011 / concours
Maitre d'ouvrage : Metz Métropole
Surface : 2.935 m² SHON
Budget : 11.500.000
Particularité :

Salles blanches ISO 7 à ISO 5 pour de la Nanolithographie Electronique, de la Lithographie Optique, des gravures sèches et humides, gravure par plasma, métallisation et caractérisation.

Equipe :

Rabot Dutilleul Construction mandataire

CGA Architecte

Climaplus expertise laboratoire

Elithis BET fluides

BET2C BET structure

L’Institut s’inscrit dans l’esprit de campus, qui prévaut dans le quartier et son devenir. Le recours au dessin précis et rigoureux lui permet de s’intégrer au bâtiment de Georgia Tech, l’abstraction des grandes lignes blanches répond à celle de l’arche de verre, et restitue depuis l’avenue de Strasbourg un front bâtit cohérent. Les plans clairs, posés sur un socle sombre et scintillant, confèrent à l’ensemble une dimension institutionnelle particulièrement adaptée à l’établissement de recherche.